Infineon IRF7807ZPbF IRF7807ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
170-2263
Herst. Teile-Nr.:
IRF7807ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

18,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.25V

Gate-Schwellenspannung min.

1.35V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Breite

4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,2 nC @ 4,5 V

Höhe

1.5mm

Serie

IRF7807ZPbF

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

Der Infineon IRF7807Z ist der 30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse.

Branchenführende Qualität
Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS
Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
Extrem niedrige Gate-Impedanz