Infineon BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 50 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
170-2271
Herst. Teile-Nr.:
BSC050N03LSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

7,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 4,5 V

Länge

5.49mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.35mm

Serie

BSC050N03LS G

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Höhe

1.1mm

Der Infineon BSC050N03LS G ist der OptiMOS 25V MOSFET und ist die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen.

Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung
Niedrigster Betriebswiderstand in kleinen Gehäusen
Einfache Integration