Infineon IPW60R040C7 IPW60R040C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 227 W, 3-Pin TO 247

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RS Best.-Nr.:
170-2279
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R040C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO 247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

40 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

227 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

16.13mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.21mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

107 nC @ 10 V

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

IPW60R040C7

Höhe

21.1mm

Die neue Serie der 600-V-Superjunction-(SJ)-MOSFETs CoolMOS™ C7 von Infineon bietet eine ∼50-%-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zu CoolMOS™ CP und bietet eine hervorragende Leistung in PFC, TTF und anderen hart schaltenden Topologien. Effizienz- und Gesamtbetriebskosten-(TCO)-Anwendungen wie z. B. Hyper-Rechenzentren und hocheffiziente Telekom-Gleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die CoolMOS ™ C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Bei einem 2,5-kW-Server-Netzteil beispielsweise kann der Einsatz von 600-V-CoolMOS ™-C7 SJ-MOSFETs in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse zu einer Energiekostenreduzierung von ∼10 % beim Energieverlust des Netzteils führen.

Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E ossKlassenbeste Leistung Q G*R DS(on)Erhöhte SchaltfrequenzBestes R (on)*A der WeltRobuste Gehäusediode