Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2290
Herst. Teile-Nr.:: BSC12DN20NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2290
Herst. Teile-Nr.:: BSC12DN20NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11,3 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	125 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	50 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.35mm
Länge	5.35mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,5 nC bei 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON

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