Infineon IPD320N20N3 G IPD320N20N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A 136 W, 3 + 2 Tab-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
170-2294
Herst. Teile-Nr.:
IPD320N20N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

34 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

TO-252

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + 2 Tab

Drain-Source-Widerstand max.

32 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

136 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Breite

7.47mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

IPD320N20N3 G

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V