Infineon IPB017N10N5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 375 W, 7 + Tab-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 170-2305
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
3.919,00 €
(ohne MwSt.)
4.664,00 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 3,919 € | 3.919,00 € |
| 2000 + | 3,821 € | 3.821,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-2305
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 180 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPB017N10N5 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.8V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.2V | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 11.05mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 168 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.31mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 180 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPB017N10N5 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.8V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.2V | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 11.05mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 168 nC @ 10 V | ||
Länge 10.31mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Der Infineon IPB017N10N5 ist ein OptiMOS 100-V-Leistungs-MOSFET in 7-poligem D2PAK-Gehäuse mit 22 % niedrigerem RDS(on). Es wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken entwickelt, einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %