Infineon IPLU300N04S4-R8 IPLU300N04S4R8XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 300 A 429 W, 8 + Tab-Pin H-PSOF
- RS Best.-Nr.:
- 170-2326
- Herst. Teile-Nr.:
- IPLU300N04S4R8XTMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2326
- Herst. Teile-Nr.:
- IPLU300N04S4R8XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | H-PSOF | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 770 μΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 429 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 221 nC @ 10 V | |
| Länge | 9.9mm | |
| Breite | 11.37mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | IPLU300N04S4-R8 | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 300 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße H-PSOF | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 770 μΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 429 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 221 nC @ 10 V | ||
Länge 9.9mm | ||
Breite 11.37mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie IPLU300N04S4-R8 | ||
Höhe 2.3mm | ||
TOLL ist das neueste PowerMOS-Gehäuse von IFX für die Hochstrom-Automobilelektronik. Die Kunden profitieren: die höchste Strombelastbarkeit (bis zu 300 A) – niedrigster Gehäusewiderstand (bis zu 30 % geringerer RDSon)Minimale Abmessungen und Höhe führen zu einer erheblichen Platzeinsparung – im Vergleich zu D²Pack:– Abmessungen 150 → 115 mm² = 23 % weniger – Höhe 4,4 mm → 2,3 mm = 47 % weniger
Zusammenfassung der Funktionen:V BRDSS = 40 VR DSon (max.) = 0,77 mOhmI D = 300 AR thJC = 0,35 K/WGehäuseabmessungen: Fläche = 115 mm²AOI-Option (Automatische Optische Inspektion) im Lieferumfang enthalten100 % bleifreiZielanwendungsbereiche:Hochstrom-Kfz-AnwendungenElektronische Servolenkung – EPSBatteriemanagement – Start-Stop
