Infineon IPD50N10S3L-16 IPD50N10S3L16ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 50 A 100 W, 3 + 2 Tab-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 170-2335
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N10S3L16ATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 170-2335
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N10S3L16ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + 2 Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 19,9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 100 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Länge | 6.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 7.22mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| Serie | IPD50N10S3L-16 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + 2 Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 19,9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 100 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Länge 6.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 7.22mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 49 nC @ 10 V | ||
Serie IPD50N10S3L-16 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Höhe 2.3mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Zusammenfassung der Funktionen:N-Kanal - Anreicherungstyp175 °C BetriebstemperaturUmweltfreundliches ProduktVorteile:Höchste Strombelastbarkeit 180 ANiedrige Schalt- und Leitungsverluste für hohe WärmeeffizienzRobustes Gehäuse mit überragender Qualität und ZuverlässigkeitOptimierte Gesamt-Gate-Ladung ermöglicht kleinere TreiberausgangsstufenZielanwendungsbereiche:48V Wechselrichter48 V dc/dcHID-Beleuchtung