Infineon IPP17N25S3-100 IPP17N25S3100AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 170-2337
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP17N25S3100AKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2337
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP17N25S3100AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 107 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Höhe | 15.65mm | |
| Serie | IPP17N25S3-100 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 250 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 107 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V | ||
Höhe 15.65mm | ||
Serie IPP17N25S3-100 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Zusammenfassung der Funktionen:N-Kanal - Anreicherungstyp175 °C BetriebstemperaturUmweltfreundliches ProduktVorteile:Niedriger RDS(on) in Trench-Technologie – bis zu 19,3 mOhmHöchste Strombelastbarkeit 64 ANiedrige Schalt- und Leitungsverluste für hohe WärmeeffizienzRobustes Gehäuse mit überragender Qualität und ZuverlässigkeitOptimierte Gesamt-Gate-Ladung ermöglicht kleinere TreiberausgangsstufenZielanwendungsbereiche:HybridinverterDC/DCPiezo-Einspritzung