Infineon BSR606N BSR606NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,3 A 500 mW, 3-Pin SC-59

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
170-2360
Herst. Teile-Nr.:
BSR606NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,3 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SC-59

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

90 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.3V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

500 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.6mm

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,7 nC @ 5 V

Diodendurchschlagsspannung

1.15V

Automobilstandard

AEC-Q101

Serie

BSR606N

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Alle Produkte sind für Kfz-Anwendungen geeignet (außer 2N7002)

Alle Kleinsignal-N-Kanal-Produkte sind für Kfz-Anwendungen geeignet (außer 2N7002)

Enhancement-Modus
Bleifreie Beschichtung
Anwendungsbereiche:
Kfz
Unterhaltungselektronik
DC-DC
E-Mobilität
Motorsteuerung
Onboard-Ladegeräte
Telekom