onsemi NTMFS5C410N NTMFS5C410NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 300 A 166 W, 4 + Tab-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 170-3397
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5C410NT1G
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5C410NT1G
- Marke:
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 920 μΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 166 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.1mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 86 nC bei 10 V | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Serie | NTMFS5C410N | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 300 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 920 μΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 166 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.1mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 86 nC bei 10 V | ||
Höhe 1.05mm | ||
Serie NTMFS5C410N | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY