Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 34 W, 8-Pin PowerPAK SO
- RS Best.-Nr.:
- 170-8296
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ960EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 170-8296
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ960EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 84 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 34 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 5.25mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.47mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Höhe | 1.14mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 84 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 34 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 5.25mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
Breite 4.47mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Höhe 1.14mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||