Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 17 A 220 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
170-8381
Herst. Teile-Nr.:
SIHP18N50C-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

290 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

220 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

120 nC @ 10 V

Länge

10.51mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.49mm

Ursprungsland:
MX

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor