Infineon IRF1407PbF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 130 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
171-1902
Herst. Teile-Nr.:
IRF1407PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

130 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Serie

IRF1407PbF

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

330 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Breite

4.83mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.67mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

160 nC @ 10 V

Höhe

16.51mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diese Streifen-Planar-Konstruktion von HEXFET®-Leistungs-MOSFETs verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand in eingeschaltetem Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses HEXFET-Leistungs-MOSFET sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Vorteile machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Vorteile:Niedriger RDS (EIN)Dynamische dv/dt-BewertungSchnelle SchaltgeschwindigkeitBetriebstemperatur von 175 °CZielanwendungsbereiche:Vollbrücke für VerbraucherVollbrückePush-Pull