Infineon IRF6218PbF P-Kanal, THT MOSFET 150 V / 27 A 250 W, 3 + Tab-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
171-1904
Herst. Teile-Nr.:
IRF6218PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

27 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

IRF6218PbF

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

150 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Breite

4.69mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

71 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.54mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Höhe

15.24mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Infineon IRF6218 ist der 1-150-V-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse.

Branchenführende Qualität
Dynamische dv/dt-Bewertung
Fast Switching
Voll-Avalanche-Bewertung
Betriebstemperatur von 175 °C