Infineon CoolMOS IPW60R040C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 50 A, 3-Pin PG-TO247

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RS Best.-Nr.:
171-1936
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R040C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-TO247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,04 O

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Serie

CoolMOS

Die neue Serie der 600-V-Superjunction-(SJ)-MOSFETs CoolMOS™ C7 von Infineon bietet eine ∼50-%-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zu CoolMOS™ CP und bietet eine hervorragende Leistung in PFC, TTF und anderen hart schaltenden Topologien. Effizienz- und Gesamtbetriebskosten-(TCO)-Anwendungen wie z. B. Hyper-Rechenzentren und hocheffiziente Telekom-Gleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die CoolMOS ™ C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Bei einem 2,5-kW-Server-Netzteil beispielsweise kann der Einsatz von 600-V-CoolMOS ™-C7 SJ-MOSFETs in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse zu einer Energiekostenreduzierung von ∼10 % beim Energieverlust des Netzteils führen.

Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E ossKlassenbeste Leistung Q G*R DS(on)Erhöhte SchaltfrequenzBestes R (on)*A der WeltRobuste Gehäusediode