Infineon IPD053N08N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 150 W, 5-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 171-1937
Herst. Teile-Nr.:: IPD053N08N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD053N08N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 150 W, 5-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 171-1937
Herst. Teile-Nr.:: IPD053N08N3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	90A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD053N08N3 G
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	150W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	52nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	7.36mm
	Höhe	2.41mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD053N08N3 G
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 150W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 7.36mm
	Höhe 2.41mm
	Automobilstandard Nein

IPD053N08N3 Datasheet

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon MOSFET

Der Infineon TO-252-3 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 5,3 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen Dauerablassstrom von 90 A. Er hat eine maximale Gate-Source-Spannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 80 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET ist für die anspruchsvollsten Anwendungen geeignet und bietet volle Flexibilität bei begrenzten Platzverhältnissen. Er wurde entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der geschärften Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Zweiseitige Kühlung

• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(ON)-Produkt (FOM)

• bleifreie (Pb) Beschichtung

• Niedrige parasitäre Induktivität

• Niedrige Bauhöhe (<0, 7 mm)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler

• Überlegener Wärmewiderstand

Anwendungen

• AC/DC

• Adapter

• DC/DC

• LED

• Motorsteuerung

• PC-Stromversorgung

• Servernetzteile

• SMPS

• Solar

• Telekommunikation

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC