Infineon IPD053N08N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 150 W, 5-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-1937P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD053N08N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
9,78 €
(ohne MwSt.)
11,64 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 + | 0,978 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-1937P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD053N08N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPD053N08N3 G | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7.36 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPD053N08N3 G | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7.36 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon MOSFET
Der Infineon TO-252-3 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 5,3 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen Dauerablassstrom von 90 A. Er hat eine maximale Gate-Source-Spannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 80 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET ist für die anspruchsvollsten Anwendungen geeignet und bietet volle Flexibilität bei begrenzten Platzverhältnissen. Er wurde entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der geschärften Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Zweiseitige Kühlung
• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(ON)-Produkt (FOM)
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Niedrige parasitäre Induktivität
• Niedrige Bauhöhe (<0, 7 mm)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
• Überlegener Wärmewiderstand
Anwendungen
• AC/DC
• Adapter
• DC/DC
• LED
• Motorsteuerung
• PC-Stromversorgung
• Servernetzteile
• SMPS
• Solar
• Telekommunikation
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC