Infineon BSC022N04LS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1950
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC022N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSC022N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Serie | BSC022N04LS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 69 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.35mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Serie BSC022N04LS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 69 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 37 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.35mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Der Infineon BSC022N04LS ist der OptiMOS 40V MOSFET eine perfekte Wahl für synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus kann dieses Gerät für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Senkung der Systemkosten
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Senkung der Systemkosten