Infineon BSC070N10NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 83 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1963P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC070N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um 6% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
51,80 €
(ohne MwSt.)
61,65 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 4.100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 1,036 € | - |
| 100 - 240 | 0,971 € | 6% |
| 250 - 490 | 0,907 € | 12% |
| 500 + | 0,844 € | 18% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-1963P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC070N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC070N10NS5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6.35mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC070N10NS5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6.35mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon BSC070N10NS5 Serie MOSFET, 80 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 80 V maximale Drain-Source-Spannung - BSC070N10NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstromverstärkungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsstufen entwickelt wurde. Er ist für Schalt- und Leistungsumwandlungsanwendungen vorgesehen, bei denen eine kompakte Montage und eine robuste Leitfähigkeit erforderlich sind. Die Komponente arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Stromverarbeitung und Gate-Drive-Toleranz erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedrige Rds(on) von 10,2 mΩ für geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 80 A ermöglicht den Betrieb mit hoher Belastung
• Maximal-Vds 80 V für Mittelspannungs-Stromversorgungssysteme
• Typische Gate-Ladung 30 nC für effiziente Schaltsteuerung
• Spitzenverlustleistung von 83 W zur Bewältigung thermischer Belastungen
• Gate-Source-Grenzspannung 20 V zum Schutz der Antriebsschaltkreise
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 80 A ermöglicht den Betrieb mit hoher Belastung
• Maximal-Vds 80 V für Mittelspannungs-Stromversorgungssysteme
• Typische Gate-Ladung 30 nC für effiziente Schaltsteuerung
• Spitzenverlustleistung von 83 W zur Bewältigung thermischer Belastungen
• Gate-Source-Grenzspannung 20 V zum Schutz der Antriebsschaltkreise
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandlerstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken-Baugruppen
• Verwendung mit Hochstrom-DC/DC-Wandlern
• Kann für Server-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations-Gleichrichter und Schaltanlagen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken-Baugruppen
• Verwendung mit Hochstrom-DC/DC-Wandlern
• Kann für Server-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations-Gleichrichter und Schaltanlagen
Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Er ist für den zuverlässigen Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.
Wie viele Stifte und welche Montageart wird verwendet?
Das Gehäuse enthält acht Pins und wird in einem TDSON-Oberflächenmontageformat für eine kompakte Platzierung der Leiterplatte geliefert.
Welcher Kanaltyp und welcher Modus werden für die Umschaltung implementiert?
Der Transistor verwendet einen N-Typ-Kanal im Enhancement-Modus, der einen positiven Gate-Antrieb zur Leitung erfordert.
Welche physischen Abmessungen beeinflussen das Board-Layout und die Platzierung?
Das Gehäuse misst 5,49 mm in der Länge, 6,35 mm in der Breite und 1,1 mm in der Höhe und informiert so über die Grundfläche und das Abstanddesign.