Infineon IPB017N10N5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 375 W, 7 + Tab-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-1965
Herst. Teile-Nr.:
IPB017N10N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IPB017N10N5

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.8V

Gate-Schwellenspannung min.

2.2V

Verlustleistung max.

375 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

168 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.31mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

11.05mm

Höhe

4.57mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Infineon IPB017N10N5 ist ein OptiMOS 100-V-Leistungs-MOSFET in 7-poligem D2PAK-Gehäuse mit 22 % niedrigerem RDS(on). Es wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken entwickelt, einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %