Infineon BSC026N08NS5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
171-1983
Herst. Teile-Nr.:
BSC026N08NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Serie

BSC026N08NS5

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.8V

Gate-Schwellenspannung min.

2.2V

Verlustleistung max.

156 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.35mm

Länge

5.49mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

74 nC @ 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.1mm

Der Infineon BSC026N08NS5 ist ein OptiMOS 5 80-V-Leistungs-MOSFET, der speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile entwickelt wurde. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %