Infineon IPT012N08N5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 300 A 375 W, 8 + Tab-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 171-1989
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT012N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- 171-1989
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT012N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V | |
| Serie | IPT012N08N5 | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.8V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.2V | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 178 nC @ 10 V | |
| Breite | 10.58mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 300 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 80 V | ||
Serie IPT012N08N5 | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.8V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.2V | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 178 nC @ 10 V | ||
Breite 10.58mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.1mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 2.4mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Infineon MOSFET
Der Infineon HSOF-8 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Abflussquellwiderstand von 1,2 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 300 A. Er hat eine maximale Gate-Source-Spannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 80 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• 100 % Lawinengeprüft
• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS-Produkt (ein) (FOM)
• Halogenfrei
• Höchste Systemeffizienz
• Ideal für hohe Schaltfrequenz
• Erhöhte Leistungsdichte
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Niederspannungs-/Überschwingen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Optimiert für synchrone Gleichrichtung
• Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
• RDS-Reduzierung (ein) von bis zu 44 %
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS (ein)
• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS-Produkt (ein) (FOM)
• Halogenfrei
• Höchste Systemeffizienz
• Ideal für hohe Schaltfrequenz
• Erhöhte Leistungsdichte
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Niederspannungs-/Überschwingen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Optimiert für synchrone Gleichrichtung
• Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
• RDS-Reduzierung (ein) von bis zu 44 %
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS (ein)
Anwendungen
• Adapter
• Leichte Elektrofahrzeuge
• Niederspannungsantriebe
• Servernetzteile
• Solar
• Telekommunikation
• Leichte Elektrofahrzeuge
• Niederspannungsantriebe
• Servernetzteile
• Solar
• Telekommunikation
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
