Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 92 A 142 W, 8-Pin DSOP
- RS Best.-Nr.:
- 171-2212
- Herst. Teile-Nr.:
- TPW4R50ANH
- Marke:
- Toshiba
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 171-2212
- Herst. Teile-Nr.:
- TPW4R50ANH
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 92 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | DSOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 142 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.73mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 92 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße DSOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 142 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Länge 5mm | ||
Breite 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 58 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.73mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen
DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 22 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)