Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
171-2379
Herst. Teile-Nr.:
TPH6R003NL
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

57 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOP

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

8,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.3V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

34 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.95mm

RoHS Status: Ausgenommen

Schaltspannungsregler
DC/DC-Wandler
Hochgeschwindigkeitsschalten
Geringe Gate-Ladung: QSW = 4,3 nC (typ.)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 6,8 mΩ (typ.) (VGS = 4,5 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 30 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 1,3 bis 2,3 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)