Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 393 A 170 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 171-2381
- Herst. Teile-Nr.:
- TPHR6503PL
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 171-2381
- Herst. Teile-Nr.:
- TPHR6503PL
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 393 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 890 μΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 170 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Breite | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 393 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 890 μΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 170 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 110 nC @ 10 V | ||
Breite 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.95mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Hocheffiziente DC/DC-Wandler
Schaltspannungsregler
Hochgeschwindigkeitsschalten
Geringe Gate-Ladung: QSW = 30 nC (typ.)
Geringe Ausgangsladung: Qoss = 81,3 nC (typ.)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,41 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 30 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 1,1 bis 2,1 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)
Schaltspannungsregler
Hochgeschwindigkeitsschalten
Geringe Gate-Ladung: QSW = 30 nC (typ.)
Geringe Ausgangsladung: Qoss = 81,3 nC (typ.)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,41 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 30 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 1,1 bis 2,1 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)