Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 42 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-2387
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN1600ANH
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 171-2387
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN1600ANH
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 42 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Breite | 3.1mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 16 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 42 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V | ||
Breite 3.1mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
RoHS Status: Ausgenommen
DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberKleines, dünnes GehäuseHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 7,4 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 13 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)Anreicherungstyp: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)