Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723
- RS Best.-Nr.:
- 171-2395
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3J15FV
- Marke:
- Toshiba
Zwischensumme (1 Rolle mit 8000 Stück)*
368,00 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 8000 + | 0,046 € | 368,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-2395
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3J15FV
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-723 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 32 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.7V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 150 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Länge | 0.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.2mm | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-723 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 32 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.7V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 150 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Länge 0.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.2mm | ||
Höhe 0.5mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
Optimal für eine hohe Bauteildichte in kleinen Gehäusen
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RDS(ON) = 12 Ω (max.) (@VGS = −4 V)
RDS(ON) = 32 Ω (max.) (@ VGS = –2,5 V)
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RDS(ON) = 12 Ω (max.) (@VGS = −4 V)
RDS(ON) = 32 Ω (max.) (@ VGS = –2,5 V)
