Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1 W, 3-Pin SOT-23F
- RS Best.-Nr.:
- 171-2397
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K324R
- Marke:
- Toshiba
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- 171-2397
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K324R
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23F | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 109 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 2.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,2 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 1.8mm | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-23F | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 109 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±12 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 2.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,2 nC @ 4,5 V | ||
Breite 1.8mm | ||
Höhe 0.7mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
- Ursprungsland:
- TH
StromversorgungsschalterDC/DC-WandlerGate-Ansteuerungsspannung 1,8 VNiedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und QuelleRDS(ON) = 56 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)RDS(ON) = 72 Ω (max.) (@ VGS = 2,5 V)RDS(ON) = 109 Ω (max.) (@ VGS = 1,8 V)