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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23

Name: Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
Brand: Toshiba
SKU: 171-2400
Price: 0.12 EUR
Availability: InStock

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	6 A
	Drain-Source-Spannung max.	30 V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	56 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
	Verlustleistung max.	2 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	2,7 nC @ 4,5 V
	Länge	2.9mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	1.8mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V
	Höhe	0.7mm

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 6 A
	Drain-Source-Spannung max. 30 V
	Gehäusegröße SOT-23
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 56 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 1.3V
	Verlustleistung max. 2 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,7 nC @ 4,5 V
	Länge 2.9mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 1.8mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V
	Höhe 0.7mm

Gate-Ansteuerungsspannung 4,5 V

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 38 Ω (max.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)

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