Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
171-2400
Herst. Teile-Nr.:
SSM3K335R,LF(B
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

56 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

2,7 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.8mm

Höhe

0.7mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
TH
Gate-Ansteuerungsspannung 4,5 V

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 38 Ω (max.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)

Verwandte Links