Toshiba SSM3K335R,LF(B N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-2400
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K335R,LF(B
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,101 € | 303,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,096 € | 288,00 € |
| 9000 + | 0,091 € | 273,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2400
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K335R,LF(B
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Gate-Ansteuerungsspannung 4,5 V
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle
RDS(ON) = 38 Ω (max.) (@ VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle
RDS(ON) = 38 Ω (max.) (@ VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 56 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V |
| Verlustleistung max. | 2 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Breite | 1.8mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,7 nC @ 4,5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 2.9mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 0.7mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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