Toshiba N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 mA 200 mW, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:
171-2409
Herst. Teile-Nr.:
SSM6N43FU
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

500 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

1,52 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.35V

Verlustleistung max.

200 mW

Gate-Source Spannung max.

±10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,23 nC @ 4 V

Länge

2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.25mm

Höhe

0.9mm

Ursprungsland:
TH
1,5-V-Ansteuerung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RDS(ON) = 1,52 Ω (max.) (@VGS = 1,5 V)
RDS(ON) = 1,14 Ω (max.) (@ VGS = 1,8 V)
RDS(ON) = 0,85 Ω (max.) (@ VGS = 2,5V)
RDS(ON) = 0,66 Ω (max.) (@ VGS = 4,5V)
RDS(ON) = 0,63 Ω (max.) (@ VGS = 5,0V)