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    Toshiba TJ40S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Nicht mehr im Sortiment
    RS Best.-Nr.:
    171-2413
    Herst. Teile-Nr.:
    TJ40S04M3L
    Marke:
    Toshiba

    RoHS Status: Ausgenommen

    Ursprungsland:
    JP
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.40 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.13 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.68 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Breite7mm
    Länge6.5mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs83 nC @ 10 V
    AutomobilstandardAEC-Q101
    Diodendurchschlagsspannung1.2V
    Höhe2.3mm

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