Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 171-2413
- Herst. Teile-Nr.:
- TJ40S04M3L
- Marke:
- Toshiba
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
1.622,00 €
(ohne MwSt.)
1.930,00 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,811 € | 1.622,00 € |
| 4000 - 8000 | 0,749 € | 1.498,00 € |
| 10000 + | 0,695 € | 1.390,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-2413
- Herst. Teile-Nr.:
- TJ40S04M3L
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 40 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 13 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 68 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 83 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 40 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 13 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 68 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 83 nC @ 10 V | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- JP
Anwendungsbereich
Kfz
Motortreiber
DC/DC-Wandler
Schaltspannungsregler
Merkmale
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 7,0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = –40 V)
Verbesserungsmodus: Vth = -2,0 bis -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
Kfz
Motortreiber
DC/DC-Wandler
Schaltspannungsregler
Merkmale
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 7,0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = –40 V)
Verbesserungsmodus: Vth = -2,0 bis -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)