Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 171-2422
Herst. Teile-Nr.:: TK33S10N1Z
Marke:: Toshiba

Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:: JP

Produktdetails

Kfz
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 8,2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	33 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	9,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	7mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	6.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	28 nC @ 10 V
Höhe	2.3mm
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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