Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
171-2427
Herst. Teile-Nr.:
TK65G10N1
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

136 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

156 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

81 nC @ 10 V

Länge

10.35mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

10.27mm

Höhe

4.46mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)