Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 34 A 45 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 171-2430
- Herst. Teile-Nr.:
- TPCA8128
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2430
- Herst. Teile-Nr.:
- TPCA8128
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 34 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +20 V | |
| Breite | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 115 nC @ 10 V | |
| Länge | 6mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 34 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6,7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +20 V | ||
Breite 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 115 nC @ 10 V | ||
Länge 6mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.95mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- MY
Geringer Platzbedarf durch kompaktes und schlankes GehäuseNiedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,7 Ω (typ.)Niedriger Leckstrom: IDSS = -10 μA (max.) (VDS = –30 V)Enhancement-ModusVth = −0,8 bis −2,0 V (VDS = −10 V, ID = −0,5 mA)