Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 87 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-2469
Herst. Teile-Nr.:
TK4R3E06PL
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.5V

Verlustleistung max.

87 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

15.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

48,2 nC @ 10 V

Länge

10.16mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Höhe

4.45mm

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Hocheffiziente DC/DC-Wandler
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Hochgeschwindigkeitsschalten
Geringe Gate-Ladung: QSW = 15,1 nC (typ.)
Geringe Ausgangsladung: Qoss = 39 nC (typ.)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,3 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 1,5 bis 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)