Toshiba TJ15P04M3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 171-2473
- Herst. Teile-Nr.:
- TJ15P04M3
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,515 € | 5,15 € |
| 50 - 90 | 0,441 € | 4,41 € |
| 100 - 990 | 0,386 € | 3,86 € |
| 1000 + | 0,335 € | 3,35 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2473
- Herst. Teile-Nr.:
- TJ15P04M3
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = –40 V)Verbesserungsmodus: Vth = –0,8 bis –2,0 V (VDS = –10 V, ID = -0,1 mA)Anwendungen:MotortreiberStromversorgungsschalter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 48 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
| Verlustleistung max. | 29 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 6.6mm |
| Breite | 7.18mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 2.3mm |
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