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    Toshiba TK55S10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    RS Best.-Nr.:
    171-2475
    Herst. Teile-Nr.:
    TK55S10N1
    Marke:
    Toshiba

    RoHS Status: Ausgenommen

    Ursprungsland:
    JP
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.55 A
    Drain-Source-Spannung max.100 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.6,5 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.157 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.±20 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Breite7mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs49 nC @ 10 V
    Länge6.5mm
    Höhe2.3mm
    Diodendurchschlagsspannung1.2V
    AutomobilstandardAEC-Q101

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