Toshiba TK55S10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 171-2475
Herst. Teile-Nr.:: TK55S10N1
Marke:: Toshiba

Toshiba TK55S10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,04 €

(ohne MwSt.)

2,43 €

(inkl. MwSt.)

15 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 +	2,04 €	10,20 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 171-2475
Herst. Teile-Nr.:: TK55S10N1
Marke:: Toshiba

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:: JP

Produktdetails

Kfz
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 5,5 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	55 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	157 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	7mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	49 nC @ 10 V
Länge	6.5mm
Höhe	2.3mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Automobilstandard	AEC-Q101

Toshiba TK55S10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Technische Daten

Verwandte Produkte