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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Channel-Typ	N, P
	Dauer-Drainstrom max.	500 mA
	Drain-Source-Spannung max.	20 V
	Gehäusegröße	SOT-563
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand max.	1,52 Ω
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	1V
	Gate-Schwellenspannung min.	0.35V
	Verlustleistung max.	150 mW
	Gate-Source Spannung max.	±10 V
	Länge	1.2mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	1,23 nC @ 4 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Breite	1.6mm
	Höhe	0.55mm

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Channel-Typ N, P
	Dauer-Drainstrom max. 500 mA
	Drain-Source-Spannung max. 20 V
	Gehäusegröße SOT-563
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand max. 1,52 Ω
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 1V
	Gate-Schwellenspannung min. 0.35V
	Verlustleistung max. 150 mW
	Gate-Source Spannung max. ±10 V
	Länge 1.2mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,23 nC @ 4 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Breite 1.6mm
	Höhe 0.55mm

Ursprungsland:: JP

1,5-V-Ansteuerung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Q1 N-Kan: RON = 1,52 Ω (max.) (@ VGS = 1,5 V)
RON = 1,14 Ω (max.) (@ VGS = 1,8 V)
RON = 0,85 Ω (max.) (@ VGS = 2,5 V)
RON = 0,66 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)
RON = 0,63 Ω (max.) (@ VGS = 5,0 V)
Q2 P-Kan: RON = 3,60 Ω (max.) (@ VGS = –1,5 V)
RON = 2,70 Ω (max.) (@ VGS = –1,8 V)
RON = 1,60 Ω (max.) (@ VGS = –2,8 V)
RON = 1,31 Ω (max.) (@ VGS = –4,5 V)

Toshiba N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563