Name: Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 15,8 A 139 W, 5-Pin DFN
Brand: Toshiba
SKU: 171-2512
Price: 1.56 EUR
Availability: Discontinued

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	15,8 A
	Drain-Source-Spannung max.	600 V
	Gehäusegröße	DFN
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand max.	190 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
	Gate-Schwellenspannung min.	2.7V
	Verlustleistung max.	139 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±30 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	8mm
	Länge	8mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	38 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Diodendurchschlagsspannung	1.7V
	Höhe	0.85mm

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	Marke Toshiba
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 15,8 A
	Drain-Source-Spannung max. 600 V
	Gehäusegröße DFN
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3.7V
	Gate-Schwellenspannung min. 2.7V
	Verlustleistung max. 139 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±30 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 8mm
	Länge 8mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 38 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Diodendurchschlagsspannung 1.7V
	Höhe 0.85mm

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:: CN

Anwendungsbereich
Schaltspannungsregler
Merkmale
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,16 Ω (typ.)
Verwendet für Super-Junction-Struktur: DTMOS
Einfach zu steuerndes Gate-Switching
Verbesserungsmodus: Vth = 2,7 bis 3,7 V (VDS = 10 V, ID = 0,79 mA)