Toshiba Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin US SSM6N7002KFU
- RS Best.-Nr.:
- 171-2523P
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N7002KFU
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2523P
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N7002KFU
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.75Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Durchlassspannung Vf | -0.79V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.75Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Durchlassspannung Vf -0.79V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 1.25 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Hochgeschwindigkeitsschalten
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle
RDS(ON) = 1,05 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1,15 mΩ (typ.) (@ VGS = 5,0 V)
RDS(ON) = 1,2 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V)