onsemi NTMFS5C682NL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A 28 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 171-8347
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5C682NLT1G
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- NTMFS5C682NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS5C682NL | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 31,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 28 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 25 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS5C682NL | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 31,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 28 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5 nC @ 10 V | ||
Höhe 1.05mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.