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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	7 A
	Drain-Source-Spannung max.	45 V
	Gehäusegröße	SOP
	Serie	RSH070P05
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	39 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	2 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	34 nC @ 5 V
	Länge	5.2mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Breite	4.05mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Höhe	1.6mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 7 A
	Drain-Source-Spannung max. 45 V
	Gehäusegröße SOP
	Serie RSH070P05
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 39 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 2 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 34 nC @ 5 V
	Länge 5.2mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Breite 4.05mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Höhe 1.6mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V

Ursprungsland:: JP

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

4-V-Antriebstyp
P-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei

ROHM RSH070P05 P-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 7 A 2 W, 8-Pin SOP