- RS Best.-Nr.:
- 171-9814
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E040TNTL
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 171-9814
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E040TNTL
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Der RQ5E040TN ist ein Kleinsignal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und integrierter G-S-Schutzdiode. Er ist für das Schalten geeignet.
Niedriger Betriebswiderstand.
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | TSMT-3 |
Serie | RQ5E040TN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 66 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
Verlustleistung max. | 1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±12 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,9 nC bei 4,5 V |
Breite | 1.8mm |
Länge | 3mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 0.95mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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