ROHM RXH090N03 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9 A 2 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
171-9826
Herst. Teile-Nr.:
RXH090N03GZETB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOP

Serie

RXH090N03

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

27 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,8 nC @ 5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

3.9mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.75mm

Ursprungsland:
JP
MOSFETs werden als Geräte mit extrem niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich als mobile Ausrüstung für geringen Stromverbrauch. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

4-V-Antriebstyp
P-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei