ROHM RQ3E180AJ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 30 W, 8-Pin HSMT

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RS Best.-Nr.:
171-9853
Herst. Teile-Nr.:
RQ3E180AJTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

RQ3E180AJ

Gehäusegröße

HSMT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

5,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.5V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±12 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

39 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.85mm

Ursprungsland:
JP
Der MOSFET der Serie RQ3E180AJ ist für Schaltanwendungen mit niedrigem Betriebswiderstand vorgesehen.

Niedriger Betriebswiderstand.
Kleines SMD-Gehäuse.
Bleifreie Leitungsbeschichtung.

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