ROHM RQ5A020ZP P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT-3

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RS Best.-Nr.:
171-9891
Herst. Teile-Nr.:
RQ5A020ZPTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

12 V

Serie

RQ5A020ZP

Gehäusegröße

TSMT-3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

400 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±10 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,5 nC @ 4,5

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.8mm

Höhe

0.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Der RQ5A020ZP ist ein MOSFET mit G-S-Schutzdiode und niedrigem Betriebswiderstand, geeignet zum Schalten von Lasten.

Niedriger Betriebswiderstand.
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung