ROHM RQ5A020ZP P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
- RS Best.-Nr.:
- 171-9891
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5A020ZPTL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V | |
| Gehäusegröße | TSMT-3 | |
| Serie | RQ5A020ZP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±10 V | |
| Breite | 1.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,5 nC @ 4,5 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 12 V | ||
Gehäusegröße TSMT-3 | ||
Serie RQ5A020ZP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±10 V | ||
Breite 1.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,5 nC @ 4,5 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.95mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Der RQ5A020ZP ist ein MOSFET mit G-S-Schutzdiode und niedrigem Betriebswiderstand, geeignet zum Schalten von Lasten.
Niedriger Betriebswiderstand.
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung