ROHM RQ6E080AJT N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,25 W, 6-Pin SC-95, SOT-457T, TSMT

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RS Best.-Nr.:
171-9908
Herst. Teile-Nr.:
RQ6E080AJTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SC-95, SOT-457T, TSMT

Serie

RQ6E080AJT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

19,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.5V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

1,25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±12 V

Breite

1.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16,2 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.95mm

Der RQ6E080AJ ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.

Niedriger Betriebswiderstand
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT6)
Bleifreie Beschichtung