ROHM RQ6E080AJT N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,25 W, 6-Pin SC-95, SOT-457T, TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 171-9908
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6E080AJTCR
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
33,25 €
(ohne MwSt.)
39,55 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,665 € | 33,25 € |
| 500 - 700 | 0,598 € | 29,90 € |
| 750 - 1450 | 0,543 € | 27,15 € |
| 1500 - 2450 | 0,498 € | 24,90 € |
| 2500 + | 0,478 € | 23,90 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-9908
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6E080AJTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SC-95, SOT-457T, TSMT | |
| Serie | RQ6E080AJT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 19,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V | |
| Breite | 1.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16,2 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SC-95, SOT-457T, TSMT | ||
Serie RQ6E080AJT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 19,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±12 V | ||
Breite 1.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 16,2 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.95mm | ||
Der RQ6E080AJ ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Niedriger Betriebswiderstand
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT6)
Bleifreie Beschichtung
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT6)
Bleifreie Beschichtung
