ROHM RV2C002UN N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 180 A 100 mW, 3-Pin DFN1006, SC-101, VML1006

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RS Best.-Nr.:
171-9915
Herst. Teile-Nr.:
RV2C002UNT2L
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Serie

RV2C002UN

Gehäusegröße

DFN1006, SC-101, VML1006

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

100 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±10 V

Breite

0.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

1.05mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.35mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Der RV2C002UN mit extrem kleinem Gehäuse (Größe 1006) ist für tragbare Geräte geeignet.

Der Niederspannungsantrieb macht dieses Gerät ideal für tragbare Geräte.
Einfache Antriebskreise möglich
Integrierte ESD-Schutzdiode.