ROHM RV2C014BC P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,4 A 400 mW, 3-Pin DFN1006
- RS Best.-Nr.:
- 171-9925
- Herst. Teile-Nr.:
- RV2C014BCT2CL
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- RV2C014BCT2CL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | DFN1006 | |
| Serie | RV2C014BC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 700 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 400 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 0.65mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 1.05mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.35mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße DFN1006 | ||
Serie RV2C014BC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 700 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 400 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 0.65mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 1.05mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.35mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der RV2C014BC mit kleinem Gehäuse (Größe 1006) ist für tragbare Geräte geeignet.
Niedriger Widerstand, hoher Strom.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (DFN1006).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (DFN1006).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei.
